

AD648KRZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
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AD648KRZ技术参数详情说明:
AD648KRZ是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款双通道JFET输入运算放大器。该器件采用经典的JFET输入级架构,其核心优势在于极低的输入偏置电流和输入失调电压,结合双通道集成设计,为精密信号调理应用提供了一个高性价比的解决方案。每个通道的输入级均采用高性能JFET晶体管,这不仅确保了极低的输入偏置电流,也带来了极高的输入阻抗,使其能够直接连接高阻抗传感器或信号源,而不会引入显著的负载效应或直流误差。
该放大器的功能特点突出体现在其极低的输入偏置电流(典型值3pA)和较低的输入失调电压(300V)上,这对于需要处理微弱电流信号或要求高直流精度的应用至关重要。其增益带宽积为1MHz,压摆率为1.8V/s,能够胜任中频范围内的信号放大与处理任务。此外,每个放大器通道的静态电流仅为340A,双通道协同工作时功耗控制出色,非常适用于电池供电或对功耗敏感的设备。其输出级能够提供高达15mA的驱动电流,增强了带负载能力。
在接口与参数方面,AD648KRZ支持宽范围的电源电压(±4.5V至±18V),为不同供电系统的设计提供了灵活性。它采用标准的8引脚SOIC封装,适合表面贴装工艺,便于集成到紧凑的PCB布局中。其工作温度范围为0°C至70°C,覆盖了商业级应用的主流环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是保障产品正品与稳定供货的重要途径。
基于其技术特性,AD648KRZ非常适合应用于光电二极管前置放大、高阻抗传感器(如pH电极、压电传感器)的信号调理、有源滤波器、精密积分器以及测试测量设备中的缓冲放大级。它在医疗仪器、工业过程控制、数据采集系统和便携式设备中都能发挥关键作用,是实现高精度、低功耗模拟前端设计的优秀选择。
- 制造商产品型号:AD648KRZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
- 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 放大器类型:J-FET
- 电路数:2
- 输出类型:-
- 压摆率:1.8V/s
- 增益带宽积:1MHz
- -3db带宽:1MHz
- 电流-输入偏置:3pA
- 电压-输入补偿:300V
- 电流-供电:340A(x2 通道)
- 电流-输出/通道:15mA
- 电压-供电,单/双(±):±4.5V ~ 18V
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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