

110862-HMC258LC3B技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频评估和开发套件,开发板,配套使用的相关产品:HMC258LC3B
- 技术参数:EVAL BOARD HMC258LC3B
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110862-HMC258LC3B技术参数详情说明:
作为一款专为高频应用设计的评估板,110862-HMC258LC3B的核心架构围绕其配套的HMC258LC3B混频器芯片构建。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)工艺,集成了双平衡混频器核心、本振(LO)驱动放大器以及中频(IF)输出匹配网络。这种高度集成的设计确保了在14.5GHz至19.5GHz的射频(RF)频段内,能够实现从射频到中频的高效、线性频率转换,同时最大限度地减少了外部元件需求,简化了系统设计。
该评估板的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。它支持宽频带操作,覆盖Ku波段的关键部分,适用于多种卫星通信和点对点无线电应用。其设计优化了转换损耗和隔离度,在典型工作条件下能提供较低的转换损耗和较高的本振-射频、本振-中频隔离,从而有效抑制杂散信号,提升系统动态范围。板载的微带线和连接器经过精心布局,以最小化评估过程中的插入损耗和阻抗失配,为用户提供接近芯片数据手册标称性能的实测环境。
在接口与关键参数方面,该板提供了标准的SMA(或类似)连接器,分别对应射频输入、本振输入和中频输出端口,便于与矢量网络分析仪、频谱分析仪等测试设备快速连接。其核心参数直接由HMC258LC3B芯片决定,包括前述的14.5-19.5GHz射频频率范围、宽范围的本振输入功率容限,以及典型的中频输出带宽。通过此评估板,工程师可以直观地验证芯片的三阶交调截点(IP3)、噪声系数等线性度和灵敏度关键指标,为最终产品设计提供可靠的性能数据参考。对于需要获取此评估板或进行技术咨询的设计团队,联系专业的ADI代理商是确保获得正品支持和完整技术资料的有效途径。
尽管该评估板及其配套芯片目前已处于停产状态,但其典型应用场景依然具有参考价值,主要面向需要高性能上变频或下变频功能的微波系统。例如,在军用电子战、卫星通信上行/下行链路、微波点对点回程以及测试测量设备中,此类能够稳定工作在Ku波段的混频器解决方案至关重要。该评估板为工程师在上述高频、高可靠性应用中进行原型验证和性能评估提供了快速入手的工具,有助于加速开发周期并降低前期设计风险。
- 制造商产品型号:110862-HMC258LC3B
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:EVAL BOARD HMC258LC3B
- 系列:射频评估和开发套件,开发板
- 零件状态:停产
- 类型:混频器
- 频率:14.5GHz ~ 19.5GHz
- 配套使用的相关产品:HMC258LC3B
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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